기존 S 램 개선 대용량 휴대폰 버퍼메모리
256Mb 제품 양산…고속 메모리시장 파란 예고
그동안 Ut램ㆍ셀룰러램 등의 이름으로 휴대폰용 버퍼 메모리을 주름잡던 슈도 S램(Pseudo) 시장에 새 복병인 S3 S램이 출현해, 파란이 예상된다.
삼성전자(대표 윤종용)는 휴대기기의 기억장치 및 버퍼로 사용하던 Ut램(Uni Transistor RAM)을 대체할 `S3 S램'을 업계 최초로 개발, 256Mb 제품 양산에 본격 돌입한다고 17일 밝혔다.
S3 S램은 기존 S램의 셀 구조를 3차원으로 구성한 것으로 그동안 칩 사이즈의 한계 때문에 Ut램으로 대체되던 S램에 신개념을 도입한 획기적인 제품이다.
삼성전자는 대용량이면서 데이터 처리 속도가 빠른 S3 S램을 지난해 개발해, 그동안 양산 적용 테스트를 진행해왔으며, 지난해말 수율 향상 작업을 거쳐 올 초부터 본격적인 양산에 돌입할 예정이라고 말했다.
삼성전자 반도체총괄 김일웅 메모리마케팅 상무는 "당초 지난해 말부터 Ut램을 대체하는 S3 S램을 양산할 계획이었으나, 다소 지연돼 올해 초부터 본격 양산할 것이다"며 "이는 기존 S램의 단점과 Ut램의 단점을 극복한 제품이다"고 설명했다.
삼성전자가 개발한 S3 S램은 512Mb까지 기술적용이 가능한 것으로 현재는 기존 최고 용량인 64Mb의 S램이나 128Mb의 Ut램보다 256Mb S램에 적용할 방침인 것으로 알려졌다.
고속데이터 처리용으로 쓰이는 S램은 1개의 셀에 4∼6개의 트랜지스터로 구성돼 데이터의 처리속도가 D램이나 플래시메모리보다 훨씬 빨라 휴대폰 등이나 서버 등의 버퍼 메모리로 활용된다. 하지만 1개의 셀에 많은 트랜지스터를 집적함에 따라 칩의 크기가 커지는 단점이 있었다.
이를 대체한 것이 D램의 구조(1개 트랜지스터와 1개의 캐파시터)를 가진 S램(슈도 S램)으로 1개의 트랜지스터를 가진 Ut램을 개발해, 멀티칩패키지(MCP) 등에 사용해 왔다. 하지만 S램은 크기 면에서 , Ut램은 속도면에서 다소의 문제가 있어, 기존 S램을 3차원적으로 설계한 S3 S램 기술을 지난해 개발했다.
셀 내의 트랜지스터를 3차원 구조에서 설계함에 따라 크기를 3분의 1수준으로 줄여, 칩 크기의 한계를 극복할 수 있었다는 게 삼성전자의 설명이다.
시장 선도기업인 삼성전자가 기존 S램의 후속으로 Ut램을 출시해 자사의 MCP에 적극 탑재하다가 다시 S램의 `변종'인 S3 S램으로 진화를 거듭함에 따라 휴대폰 및 서버용 고속 메모리 시장에 변화가 불가피해졌다.
현재 하이닉스는 지난해 휴대폰 등에 탑재하는 슈도S램을 64Mb 제품까지, 인피니언과 마이크론은 셀룰러램이라는 이름으로 지난해 32Mb까지 개발한 상태에서 삼성이 256Mb S3 S램을 출시할 경우, 삼성의 시장지배력이 더욱 확대될 전망이다.
256Mb 제품 양산…고속 메모리시장 파란 예고
그동안 Ut램ㆍ셀룰러램 등의 이름으로 휴대폰용 버퍼 메모리을 주름잡던 슈도 S램(Pseudo) 시장에 새 복병인 S3 S램이 출현해, 파란이 예상된다.
삼성전자(대표 윤종용)는 휴대기기의 기억장치 및 버퍼로 사용하던 Ut램(Uni Transistor RAM)을 대체할 `S3 S램'을 업계 최초로 개발, 256Mb 제품 양산에 본격 돌입한다고 17일 밝혔다.
S3 S램은 기존 S램의 셀 구조를 3차원으로 구성한 것으로 그동안 칩 사이즈의 한계 때문에 Ut램으로 대체되던 S램에 신개념을 도입한 획기적인 제품이다.
삼성전자는 대용량이면서 데이터 처리 속도가 빠른 S3 S램을 지난해 개발해, 그동안 양산 적용 테스트를 진행해왔으며, 지난해말 수율 향상 작업을 거쳐 올 초부터 본격적인 양산에 돌입할 예정이라고 말했다.
삼성전자 반도체총괄 김일웅 메모리마케팅 상무는 "당초 지난해 말부터 Ut램을 대체하는 S3 S램을 양산할 계획이었으나, 다소 지연돼 올해 초부터 본격 양산할 것이다"며 "이는 기존 S램의 단점과 Ut램의 단점을 극복한 제품이다"고 설명했다.
삼성전자가 개발한 S3 S램은 512Mb까지 기술적용이 가능한 것으로 현재는 기존 최고 용량인 64Mb의 S램이나 128Mb의 Ut램보다 256Mb S램에 적용할 방침인 것으로 알려졌다.
고속데이터 처리용으로 쓰이는 S램은 1개의 셀에 4∼6개의 트랜지스터로 구성돼 데이터의 처리속도가 D램이나 플래시메모리보다 훨씬 빨라 휴대폰 등이나 서버 등의 버퍼 메모리로 활용된다. 하지만 1개의 셀에 많은 트랜지스터를 집적함에 따라 칩의 크기가 커지는 단점이 있었다.
이를 대체한 것이 D램의 구조(1개 트랜지스터와 1개의 캐파시터)를 가진 S램(슈도 S램)으로 1개의 트랜지스터를 가진 Ut램을 개발해, 멀티칩패키지(MCP) 등에 사용해 왔다. 하지만 S램은 크기 면에서 , Ut램은 속도면에서 다소의 문제가 있어, 기존 S램을 3차원적으로 설계한 S3 S램 기술을 지난해 개발했다.
셀 내의 트랜지스터를 3차원 구조에서 설계함에 따라 크기를 3분의 1수준으로 줄여, 칩 크기의 한계를 극복할 수 있었다는 게 삼성전자의 설명이다.
시장 선도기업인 삼성전자가 기존 S램의 후속으로 Ut램을 출시해 자사의 MCP에 적극 탑재하다가 다시 S램의 `변종'인 S3 S램으로 진화를 거듭함에 따라 휴대폰 및 서버용 고속 메모리 시장에 변화가 불가피해졌다.
현재 하이닉스는 지난해 휴대폰 등에 탑재하는 슈도S램을 64Mb 제품까지, 인피니언과 마이크론은 셀룰러램이라는 이름으로 지난해 32Mb까지 개발한 상태에서 삼성이 256Mb S3 S램을 출시할 경우, 삼성의 시장지배력이 더욱 확대될 전망이다.
