올 반도체 설비 7조 투자… 글로벌 경쟁사와 격차 넓히기
미 오스틴 낸드플래시 신규라인엔 1조5000억
나머지 5조5000억으론 기존 라인 업그레이드
삼성전자가 세계 메모리 경쟁사를 `고사'(枯死)시키는 전략을 가동한다.
삼성전자는 지난 25일 1？4분기 경영설명회에서 올해 반도체 설비부문에 7조원 이상을 투자, 지난해에 비해 D램과 낸드플래시 각각 100%와 130%의 비트 그로스(Bit Growth. 비트 단위로 환산한 메모리 생산증가량)를 실현할 것이라고 밝혔다.
이날 주우식 삼성전자 IR담당 부사장은 "메모리 시황이 좋지 않지만, 위기를 기회로 삼아 올해 전략적으로 투자를 늘려 경쟁사와 격차를 넓힐 것"이라며 "미국 오스틴 낸드플래시 신규라인 건설에 1조5000억원을 비롯해 기존 라인 업그레이드 등에 7조원이 훨씬 넘는 투자를 할 것"이라고 말했다.
이같은 세계 메모리 시장 1위인 삼성전자의 D램과 낸드플래시 증산 계획은 전체 메모리 공급과 가격에 상당한 영향을 미칠 것으로 보이며, 올해 메모리 가격 회복을 늦출 수도 있을 것으로 예상돼 주목된다. 업계에 따르면 올해 세계 D램 비트 그로스는 평균 60%, 낸드플래시는 90% 선을 넘지 않을 것으로 예상되는데, 이에 반해 삼성전자의 비트 그로스가 상대적으로 높아 메모리 공급과잉 해소를 지연시킬 수 있기 때문이다. 올해 하이닉스가 설비투자를 당초 3조6000억원에서 1조원을 축소하는 등 세계 메모리 업계는 실적악화로 설비투자를 줄이거나 투자를 늦추고 있다.
◇메모리 증산 위해 7조원 어떻게 투자하나=삼성전자는 올해 우선 미국 오스틴에 낸드플래시 신규 라인 건설을 위해 1조5000억원을 투입한다. 나머지 5조5000억원 이상은 15라인 등 기존 메모리 생산공장의 라인 증설과 함께 200mm 웨이퍼 공정의 300mm 웨이퍼 공정 전환, 미세 나노공정 전환 등에 사용할 것으로 예상된다. 당초 예상했던 경기 화성 16라인 건설투자는 올해 포함되지 않았다. 신규 생산공장 건설보다는 기존 라인의 업그레이드 투자를 통해 올해 100% 이상의 메모리 증산 효과를 내겠다는 계산이다.
삼성전자 반도체총괄 강영호 IR상무는 "낸드는 기존 51나노에서 5월부터 42나노 낸드 제품생산에 들어갈 것이고, 이미 4월에 생산을 시작한 56나노 D램 등 미세공정 전환으로 40∼50%의 증산 효과가 난다"고 말했다. 그는 또 "D램의 경우 300mm 공정전환으로 70% 이상의 비트 그로스 효과를, 낸드의 경우엔 미세공정 전환으로 70%의 비트 그로스 효과가 나온다"고 덧붙였다.
여기에 현재 D램은 20% 중반대, 낸드는 40% 비중을 차지하는 구형 200mm 웨이퍼 라인에 미세공정을 적용해 비트 그로스를 높이겠다는 복안이다. 63나노 200mm 낸드 라인에 59나노 공정을 적용한 제품이 2분기 중에 나올 것이며, 80나노 200mm D램 라인에 75나노 공정을 하반기 적용할 계획으로 각각 20% 이상의 증산 효과를 낼 것이라고 강 상무는 설명했다.
◇메모리 증산 왜?= 삼성전자가 이처럼 메모리 강공 전략에 나서는 것은 대부분의 세계 메모리 업체가 가격급락에 적자를 면치 못하는데 반해 홀로 흑자를 낼 수 있을만큼 `맷집'(?)을 키웠기 때문이다.
지난해 4분기 주요 경쟁사인 하이닉스를 비롯해 일본 엘피다, 독일 키몬다, 미국 마이크론, 대만의 난야？파워칩？프로모스 등 대부분의 메모리 업체가 큰 폭의 영업손실을 기록한 데 이어 올 1분기에도 모두 적자를 기록했다. 하이닉스는 올 1분기 4820억원의 영업손실을 기록하며 영업이익률이 전분기 -17%에서 -30%로 늘었다. 엘피다는 -8.5%에서 -6%, 키몬다는 -114%에서 -110%, 마이크론은 -16.9%에서 -56.8%를 기록했고, 대만 후발 업체들도 모두 큰 영손실을 기록했다.
이에 반해 삼성전자 반도체총괄은 지난해 4분기 유일하게 4300억원의 영업이익과 9%의 영업이익률을 기록한 데 이어 올 1분기 다소 줄긴 했지만, 1900억원의 영업이익과 4%의 영업이익률로 또 다시 `나홀로 흑자'를 기록했다.
삼성전자가 반도체 흑자를 기록할 수 있었던 것은 물론 수익성 높은 모바일D램, 원낸드 등 제품 라인업이 다양한 것도 있지만, 메모리 외에 `시스템LSI'라는 비메모리사업부가 흑자를 내고 있기 때문이다. 삼성전자는 메모리로만 따지면 올 1분기 D램은 소폭 적자, 낸드는 소폭 흑자를 기록한 것으로 알려졌다. 그러나 삼성전자는 설령 올해 메모리 증산으로 인해 손실이 발생하더라도 후발 업체들을 확실히 잠재우겠다는 강한 의지를 내비쳤다.
강영호 상무는 이날 "해외 경쟁사들이 잇따라 적자를 기록하고 있는데, 올해 (메모리 시황 악화로) 계속 수익을 올리지 못하면 내년엔 시장에 많은 변화가 올 수 있다"며 전략적 증산으로 시장 판도를 자사에 유리하게 가져갈 것임을 시사했다.
미 오스틴 낸드플래시 신규라인엔 1조5000억
나머지 5조5000억으론 기존 라인 업그레이드
삼성전자가 세계 메모리 경쟁사를 `고사'(枯死)시키는 전략을 가동한다.
삼성전자는 지난 25일 1？4분기 경영설명회에서 올해 반도체 설비부문에 7조원 이상을 투자, 지난해에 비해 D램과 낸드플래시 각각 100%와 130%의 비트 그로스(Bit Growth. 비트 단위로 환산한 메모리 생산증가량)를 실현할 것이라고 밝혔다.
이날 주우식 삼성전자 IR담당 부사장은 "메모리 시황이 좋지 않지만, 위기를 기회로 삼아 올해 전략적으로 투자를 늘려 경쟁사와 격차를 넓힐 것"이라며 "미국 오스틴 낸드플래시 신규라인 건설에 1조5000억원을 비롯해 기존 라인 업그레이드 등에 7조원이 훨씬 넘는 투자를 할 것"이라고 말했다.
이같은 세계 메모리 시장 1위인 삼성전자의 D램과 낸드플래시 증산 계획은 전체 메모리 공급과 가격에 상당한 영향을 미칠 것으로 보이며, 올해 메모리 가격 회복을 늦출 수도 있을 것으로 예상돼 주목된다. 업계에 따르면 올해 세계 D램 비트 그로스는 평균 60%, 낸드플래시는 90% 선을 넘지 않을 것으로 예상되는데, 이에 반해 삼성전자의 비트 그로스가 상대적으로 높아 메모리 공급과잉 해소를 지연시킬 수 있기 때문이다. 올해 하이닉스가 설비투자를 당초 3조6000억원에서 1조원을 축소하는 등 세계 메모리 업계는 실적악화로 설비투자를 줄이거나 투자를 늦추고 있다.
◇메모리 증산 위해 7조원 어떻게 투자하나=삼성전자는 올해 우선 미국 오스틴에 낸드플래시 신규 라인 건설을 위해 1조5000억원을 투입한다. 나머지 5조5000억원 이상은 15라인 등 기존 메모리 생산공장의 라인 증설과 함께 200mm 웨이퍼 공정의 300mm 웨이퍼 공정 전환, 미세 나노공정 전환 등에 사용할 것으로 예상된다. 당초 예상했던 경기 화성 16라인 건설투자는 올해 포함되지 않았다. 신규 생산공장 건설보다는 기존 라인의 업그레이드 투자를 통해 올해 100% 이상의 메모리 증산 효과를 내겠다는 계산이다.
삼성전자 반도체총괄 강영호 IR상무는 "낸드는 기존 51나노에서 5월부터 42나노 낸드 제품생산에 들어갈 것이고, 이미 4월에 생산을 시작한 56나노 D램 등 미세공정 전환으로 40∼50%의 증산 효과가 난다"고 말했다. 그는 또 "D램의 경우 300mm 공정전환으로 70% 이상의 비트 그로스 효과를, 낸드의 경우엔 미세공정 전환으로 70%의 비트 그로스 효과가 나온다"고 덧붙였다.
여기에 현재 D램은 20% 중반대, 낸드는 40% 비중을 차지하는 구형 200mm 웨이퍼 라인에 미세공정을 적용해 비트 그로스를 높이겠다는 복안이다. 63나노 200mm 낸드 라인에 59나노 공정을 적용한 제품이 2분기 중에 나올 것이며, 80나노 200mm D램 라인에 75나노 공정을 하반기 적용할 계획으로 각각 20% 이상의 증산 효과를 낼 것이라고 강 상무는 설명했다.
◇메모리 증산 왜?= 삼성전자가 이처럼 메모리 강공 전략에 나서는 것은 대부분의 세계 메모리 업체가 가격급락에 적자를 면치 못하는데 반해 홀로 흑자를 낼 수 있을만큼 `맷집'(?)을 키웠기 때문이다.
지난해 4분기 주요 경쟁사인 하이닉스를 비롯해 일본 엘피다, 독일 키몬다, 미국 마이크론, 대만의 난야？파워칩？프로모스 등 대부분의 메모리 업체가 큰 폭의 영업손실을 기록한 데 이어 올 1분기에도 모두 적자를 기록했다. 하이닉스는 올 1분기 4820억원의 영업손실을 기록하며 영업이익률이 전분기 -17%에서 -30%로 늘었다. 엘피다는 -8.5%에서 -6%, 키몬다는 -114%에서 -110%, 마이크론은 -16.9%에서 -56.8%를 기록했고, 대만 후발 업체들도 모두 큰 영손실을 기록했다.
이에 반해 삼성전자 반도체총괄은 지난해 4분기 유일하게 4300억원의 영업이익과 9%의 영업이익률을 기록한 데 이어 올 1분기 다소 줄긴 했지만, 1900억원의 영업이익과 4%의 영업이익률로 또 다시 `나홀로 흑자'를 기록했다.
삼성전자가 반도체 흑자를 기록할 수 있었던 것은 물론 수익성 높은 모바일D램, 원낸드 등 제품 라인업이 다양한 것도 있지만, 메모리 외에 `시스템LSI'라는 비메모리사업부가 흑자를 내고 있기 때문이다. 삼성전자는 메모리로만 따지면 올 1분기 D램은 소폭 적자, 낸드는 소폭 흑자를 기록한 것으로 알려졌다. 그러나 삼성전자는 설령 올해 메모리 증산으로 인해 손실이 발생하더라도 후발 업체들을 확실히 잠재우겠다는 강한 의지를 내비쳤다.
강영호 상무는 이날 "해외 경쟁사들이 잇따라 적자를 기록하고 있는데, 올해 (메모리 시황 악화로) 계속 수익을 올리지 못하면 내년엔 시장에 많은 변화가 올 수 있다"며 전략적 증산으로 시장 판도를 자사에 유리하게 가져갈 것임을 시사했다.
