삼성전자가 지난 9월 개발 발표한 신개념 CTF(Charge Trap Flash) 기술은 플래시메모리 역사를 40년만에 새롭게 쓴 쾌거다.
CTF 기술은 지난 1967년 미국 벨연구소의 한국인 공학자 고 강대원 박사와 대만 출신의 사이먼 세(Simon Sze) 박사가 처음 개발한 플로팅게이트를 이용한 비휘발성 메모리반도체(플래시메모리)의 개념을 완전히 바꾼 기술이기 때문이다.
이 CTF 기술은 플로팅게이트를 없애고, 전하를 채우는 장소를 부도체(Si-N: 실리콘나이트라이드)로 만들어 전류의 간섭을 차단해, 회로선폭을 40나노 이하로 더 얇게 할 수 있게 하는 가능성을 열었다.
CTF 기술은 지난 1967년 미국 벨연구소의 한국인 공학자 고 강대원 박사와 대만 출신의 사이먼 세(Simon Sze) 박사가 처음 개발한 플로팅게이트를 이용한 비휘발성 메모리반도체(플래시메모리)의 개념을 완전히 바꾼 기술이기 때문이다.
이 CTF 기술은 플로팅게이트를 없애고, 전하를 채우는 장소를 부도체(Si-N: 실리콘나이트라이드)로 만들어 전류의 간섭을 차단해, 회로선폭을 40나노 이하로 더 얇게 할 수 있게 하는 가능성을 열었다.
