반도체 제조에는 실리콘 웨이퍼(원판) 표면 위에 미세한 회로를 그리기 위해서 빛을 이용하는 광학 공정이 있습니다. 이러한 광학 공정에 사용되는 액체를 감광액(PR, Photo Resist)라고 합니다.
웨이퍼 위에 균일하게 입혀진 감광액은 빛에 노출되면 화학적 성질이 변하게 됩니다. 이렇게 성질이 변한 부분만을 화학적으로 제거함으로써, 웨이퍼 위에 원하는 감광액 패턴만을 남길 수 있습니다. 빛을 사용해 패턴 모양을 결정하기 때문에 매우 세밀한 작업이 요구됩니다.
웨이퍼 위에 균일하게 입혀진 감광액은 빛에 노출되면 화학적 성질이 변하게 됩니다. 이렇게 성질이 변한 부분만을 화학적으로 제거함으로써, 웨이퍼 위에 원하는 감광액 패턴만을 남길 수 있습니다. 빛을 사용해 패턴 모양을 결정하기 때문에 매우 세밀한 작업이 요구됩니다.
