삼성ㆍ도시바 등 미래 반도체 주도 자존심 경쟁
정부 중심 산ㆍ학ㆍ연 2012년 시제품 출시 앞다퉈
차세대 메모리 `STT-램' 개발을 놓고 한ㆍ일간 기술주도권 경쟁이 치열하게 펼쳐지고 있다.
STT-램은 현 메모리의 기술적 한계로 여겨지는 30나노급 이하의 초미세공정이 가능한 메모리 소자로, 이를 개발한 국가와 기업이 향후 메모리 반도체의 시장을 주도할 수 있을 것으로 예상되고 있다.
이로인해 삼성전자ㆍ하이닉스는 물론 도시바, IBM 등 세계 반도체 업체들이 앞다퉈 `STT-램' 개발에 나서고 있다. 특히 STT-램 기술개발은 한국과 일본이 가장 앞서가고 있으며, 두 국가의 개발전으로 압축되는 양상이다.
10일 관련 학계와 업계에 따르면 일본은 2007년부터 신에너지산업기술종합개발기구(NEDO) 등 정부 기관 주도로 도시바ㆍNECㆍ후지쓰ㆍ동북대 등 산학연 컨소시엄을 구성해 200mm 웨이퍼 공정으로 STT-램 개발에 나서며 한국보다 한발 먼저 시작했다. 일본은 200mm 공정으로 30나노급 STT-램의 메모리 셀까지 개발한 것으로 알려졌다. 일본은 매년 약 90억원의 예산을 투입해 2012년까지 STT-램 시제품을 개발한다는 목표다.
우리나라도 지난해 지식경제부 차세대메모리사업단(단장 한양대 박재근 교수)을 중심으로 삼성전자ㆍ하이닉스ㆍ한양대 등 산학 컨소시엄을 구성, 올 1월부터 본격적인 STT-램 개발사업에 돌입했다. 사업단은 일본보다 개발이 늦은 것을 감안해 첫 연구부터 200mm 공정이 아니라 생산성이 높은 300mm 공정으로 STT-램 개발에 착수, 매년 60억원의 예산을 들여 2012년까지 30나노급 이하의 STT-램 최종 시제품을 선보일 계획이다.
사업단은 우선 오는 5월말까지 한양대 연구센터 내 클린룸에 증착기(스퍼터)와 건식식각기(드라이에처) 등 300mm STT-램 공정에 필요한 설비를 완벽히 갖출 예정이다. 이를 통해 내년까지 30나노급 STT-램 메모리셀을, 2011년엔 모듈 샘플을, 2012년엔 양산 직전 단계의 시제품까지 완성하고, 이후 삼성전자와 하이닉스에 양산을 일임한다는 계획이다.
박재근 사업단장은 "워낙 두 국가와 기업이 극비리에 개발하고 있어 구체적인 계획을 말하기 어렵다"면서 "200mm STT-램 개발에선 늦었지만, 300mm에선 앞서 나갈 수 있을 것"이라고 말했다.
국내 300mm 개발 착수와 함께 일본 도시바도 자체적으로 300mm STT-램 공정 개발을 검토하기 시작한 것으로 알려져 앞으로 한ㆍ일간 300mm STT-램 개발 경쟁에 불이 붙을 전망이다.
한편 하이닉스는 STT-램 개발협력사인 미국 그란디스가 최근 미국내 300mm용 증착기와 식각기 등 공정 설비 구축을 마침에 따라 올해부터 본격적인 STT-램 소자 샘플 개발에 나설 예정이다. 미국에서 웨이퍼 증착 및 식각 공정을 거친 뒤 국내 하이닉스 D램 생산라인에서 나머지 공정을 거치는 방법으로 STT-램 소자를 시험 양산한다는 계획으로 2012년 이전에라도 30나노급 이하의 STT-램 소자 개발을 끝낼 수 있을 것으로 보인다. 삼성전자, 하이닉스, 도시바 등은 국책 과제 외에 독자적으로 STT-램 연구를 진행하고 있다.
김승룡기자 srkim@
정부 중심 산ㆍ학ㆍ연 2012년 시제품 출시 앞다퉈
차세대 메모리 `STT-램' 개발을 놓고 한ㆍ일간 기술주도권 경쟁이 치열하게 펼쳐지고 있다.
STT-램은 현 메모리의 기술적 한계로 여겨지는 30나노급 이하의 초미세공정이 가능한 메모리 소자로, 이를 개발한 국가와 기업이 향후 메모리 반도체의 시장을 주도할 수 있을 것으로 예상되고 있다.
이로인해 삼성전자ㆍ하이닉스는 물론 도시바, IBM 등 세계 반도체 업체들이 앞다퉈 `STT-램' 개발에 나서고 있다. 특히 STT-램 기술개발은 한국과 일본이 가장 앞서가고 있으며, 두 국가의 개발전으로 압축되는 양상이다.
10일 관련 학계와 업계에 따르면 일본은 2007년부터 신에너지산업기술종합개발기구(NEDO) 등 정부 기관 주도로 도시바ㆍNECㆍ후지쓰ㆍ동북대 등 산학연 컨소시엄을 구성해 200mm 웨이퍼 공정으로 STT-램 개발에 나서며 한국보다 한발 먼저 시작했다. 일본은 200mm 공정으로 30나노급 STT-램의 메모리 셀까지 개발한 것으로 알려졌다. 일본은 매년 약 90억원의 예산을 투입해 2012년까지 STT-램 시제품을 개발한다는 목표다.
우리나라도 지난해 지식경제부 차세대메모리사업단(단장 한양대 박재근 교수)을 중심으로 삼성전자ㆍ하이닉스ㆍ한양대 등 산학 컨소시엄을 구성, 올 1월부터 본격적인 STT-램 개발사업에 돌입했다. 사업단은 일본보다 개발이 늦은 것을 감안해 첫 연구부터 200mm 공정이 아니라 생산성이 높은 300mm 공정으로 STT-램 개발에 착수, 매년 60억원의 예산을 들여 2012년까지 30나노급 이하의 STT-램 최종 시제품을 선보일 계획이다.
사업단은 우선 오는 5월말까지 한양대 연구센터 내 클린룸에 증착기(스퍼터)와 건식식각기(드라이에처) 등 300mm STT-램 공정에 필요한 설비를 완벽히 갖출 예정이다. 이를 통해 내년까지 30나노급 STT-램 메모리셀을, 2011년엔 모듈 샘플을, 2012년엔 양산 직전 단계의 시제품까지 완성하고, 이후 삼성전자와 하이닉스에 양산을 일임한다는 계획이다.
박재근 사업단장은 "워낙 두 국가와 기업이 극비리에 개발하고 있어 구체적인 계획을 말하기 어렵다"면서 "200mm STT-램 개발에선 늦었지만, 300mm에선 앞서 나갈 수 있을 것"이라고 말했다.
국내 300mm 개발 착수와 함께 일본 도시바도 자체적으로 300mm STT-램 공정 개발을 검토하기 시작한 것으로 알려져 앞으로 한ㆍ일간 300mm STT-램 개발 경쟁에 불이 붙을 전망이다.
한편 하이닉스는 STT-램 개발협력사인 미국 그란디스가 최근 미국내 300mm용 증착기와 식각기 등 공정 설비 구축을 마침에 따라 올해부터 본격적인 STT-램 소자 샘플 개발에 나설 예정이다. 미국에서 웨이퍼 증착 및 식각 공정을 거친 뒤 국내 하이닉스 D램 생산라인에서 나머지 공정을 거치는 방법으로 STT-램 소자를 시험 양산한다는 계획으로 2012년 이전에라도 30나노급 이하의 STT-램 소자 개발을 끝낼 수 있을 것으로 보인다. 삼성전자, 하이닉스, 도시바 등은 국책 과제 외에 독자적으로 STT-램 연구를 진행하고 있다.
김승룡기자 srkim@
