20나노 이하급 메모리 제조공정에 사용
반도체ㆍ디스플레이ㆍ태양전지 제조장비 개발업체인 어플라이드머티어리얼즈코리아(AMK)는 20나노 이하급 메모리 제조공정에 사용할 수 있는 웨이퍼 갭필(Gap Fill)용 화학기상증착기(CVD) `이터나 FCVD(Flowable Chemical Vapor Deposition)'를 출시했다고 25일 밝혔다.
이번 출시한 FCVD는 기존 RPM 회전방식(SOD:Spin On Deposition)의 갭필 장비(코터)와 달리 20나노 이하 미세선폭 사이로 특수 재료가 물처럼 자연스럽게 흘러들어갈 수 있는 갭필용 CVD장비라는 게 특징이라고 회사는 설명했다.
기존 SOD방식 장비는 선폭이 미세해질수록 박막 재료로 간극을 메우기가 어려웠다고 회사는 덧붙였다. 회사는 기존 PR코터 등 캡필 장비를 대체할 수 있을 것으로 예상했다.
회사는 또 이번 출시한 장비가 RF파우더, 특수가스 등의 재료 등 생산투자비를 절반 이상 절약할 수 있다고 주장했다.
회사는 이 장비를 국내 메모리 제조사를 포함해 국내외 6개 D램 제조사와 낸드플래시 제조사 등에 제공해 테스트를 진행하고 있다고 밝혔다. 한편 D램은 현재 삼성전자가 30나노급을 최근 세계 최초로 생산에 들어간 상태로 아직은 20나노급 D램 생산에 성공한 기업은 없다. 또 낸드플래시는 20나노급까지 상용화가 완료됐다.
김승룡기자 srkim@
이번 출시한 FCVD는 기존 RPM 회전방식(SOD:Spin On Deposition)의 갭필 장비(코터)와 달리 20나노 이하 미세선폭 사이로 특수 재료가 물처럼 자연스럽게 흘러들어갈 수 있는 갭필용 CVD장비라는 게 특징이라고 회사는 설명했다.
기존 SOD방식 장비는 선폭이 미세해질수록 박막 재료로 간극을 메우기가 어려웠다고 회사는 덧붙였다. 회사는 기존 PR코터 등 캡필 장비를 대체할 수 있을 것으로 예상했다.
회사는 또 이번 출시한 장비가 RF파우더, 특수가스 등의 재료 등 생산투자비를 절반 이상 절약할 수 있다고 주장했다.
회사는 이 장비를 국내 메모리 제조사를 포함해 국내외 6개 D램 제조사와 낸드플래시 제조사 등에 제공해 테스트를 진행하고 있다고 밝혔다. 한편 D램은 현재 삼성전자가 30나노급을 최근 세계 최초로 생산에 들어간 상태로 아직은 20나노급 D램 생산에 성공한 기업은 없다. 또 낸드플래시는 20나노급까지 상용화가 완료됐다.
김승룡기자 srkim@
