DDR3 D램보다 두배 빨라…내년 본격 양산
삼성전자가 세계 최초로 DDR4 D램을 개발했다.
DDR4 D램은 DDR3 D램보다도 두 배 빠른 데이터 처리속도를 지니고 있어 CPU 진화와 함께 컴퓨팅 성능을 한 차원 끌어올릴 차세대 메모리로 주목받아 왔다. 회사는 1997년 기존 SD램보다 두 배 빠른 DDR D램을 첫 개발한 이후 13년만에 SD램보다 16배 빠른 DDR4 D램을 개발해냈다. 당초 전문가들은 DDR4의 등장이 2014년쯤이나 돼야 할 것으로 예상했지만, 한국 반도체 기술이 DDR4 출현을 2년 이상 앞당긴 것으로 평가된다.
삼성전자(대표 최지성)는 4일 지난달말 세계 최초로 30나노급 1Gb DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다. 회사는 30나노급 DDR4 D램으로 데스크톱PC용 2기가바이트(GB) D램 모듈(UDIMM)을 개발하는데 성공했다고 설명했다. 회사는 DDR4 D램을 2012년 이후 20나노급 4Gb DDR4 D램으로 양산할 계획이라고 밝혔다.
DDR4는 아직 국제표준이 정해지지 않은 기술로 삼성전자는 해외 컨트롤러IC 제조사와 서버 제조사 등과 협력해 올 하반기까지 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준으로 확정시킨다는 계획이다.
회사가 이번 개발한 DDR4 D램은 데이터 처리속도가 2.1Gbps이며, 현존 최저 동작전압인 1.2볼트에서 작동한다. 회사는 이번 DDR4 D램을 DDR3 D램과 동일한 데이터 읽기ㆍ쓰기 방식을 적용했으나, 효율적 데이터 처리구조(아키텍처)만 변경해 동작속도를 DDR3보다 배 빠르게 구현했다고 설명했다. 회사는 데이터 처리속도를 최대 3.2Gbps까지 올릴 수 있는 DDR4 D램도 곧 개발할 것이라고 덧붙였다.
일반적으로 DDR4 D램은 1.6Gbps에서 3.2Gbps 대역의 처리속도를 갖기 때문에 800Mbps에서 1.6Gbps 속도를 갖는 DDR3 D램 대비 배 이상 빠르고, DDR2에 비해선 4배, DDR에 비해선 8배, SD램에 비해선 16배 빠른 처리속도를 갖는다.
특히 DDR4 D램은 1.2볼트에서 동작하기 때문에 기존 1.5볼트에서 동작하는 D램보다 40% 소비전력을 낮출 수 있는 그린메모리라고 회사는 설명했다. 회사 반도체사업부 메모리담당 전동수 사장은 "삼성전자는 해마다 업그레이드한 `그린메모리' 전략으로 IT업계에서 친환경 제품을 출시하는데 적극 협력해왔다"며 "이번에 개발한 DDR4 D램 기술로 그린메모리에 대한 신뢰를 더욱 높일 수 있게 됐다"라고 말했다.
한편 한번에 하나의 데이터를 처리하는 SD(Single Data Rate)램에 비해 2개의 데이터를 동시에 처리하는 DDR(Doulbe Data Rate) D램은 2001년 메모리 반도체업계가 본격 양산한 후 3년만인 2003년에 기존 SD램과 세대교체를 이뤘다. 또 DDR보다 배 빠른 DDR2가 2004년 본격 양산된지 역시 3년만인 2006년에 DDR과 세대교체를 이뤘으며, DDR3는 2009년 본격 양산돼 2010년 전체 D램의 50% 이상을 차지하며 DDR2와 세대교체했다. DDR4는 2012년 본격 양산돼 2014년쯤 DDR3와 세대교체를 이룰 것으로 예상된다.
김승룡기자 srkim@
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DDR4 D램은 DDR3 D램보다도 두 배 빠른 데이터 처리속도를 지니고 있어 CPU 진화와 함께 컴퓨팅 성능을 한 차원 끌어올릴 차세대 메모리로 주목받아 왔다. 회사는 1997년 기존 SD램보다 두 배 빠른 DDR D램을 첫 개발한 이후 13년만에 SD램보다 16배 빠른 DDR4 D램을 개발해냈다. 당초 전문가들은 DDR4의 등장이 2014년쯤이나 돼야 할 것으로 예상했지만, 한국 반도체 기술이 DDR4 출현을 2년 이상 앞당긴 것으로 평가된다.
삼성전자(대표 최지성)는 4일 지난달말 세계 최초로 30나노급 1Gb DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다. 회사는 30나노급 DDR4 D램으로 데스크톱PC용 2기가바이트(GB) D램 모듈(UDIMM)을 개발하는데 성공했다고 설명했다. 회사는 DDR4 D램을 2012년 이후 20나노급 4Gb DDR4 D램으로 양산할 계획이라고 밝혔다.
DDR4는 아직 국제표준이 정해지지 않은 기술로 삼성전자는 해외 컨트롤러IC 제조사와 서버 제조사 등과 협력해 올 하반기까지 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준으로 확정시킨다는 계획이다.
회사가 이번 개발한 DDR4 D램은 데이터 처리속도가 2.1Gbps이며, 현존 최저 동작전압인 1.2볼트에서 작동한다. 회사는 이번 DDR4 D램을 DDR3 D램과 동일한 데이터 읽기ㆍ쓰기 방식을 적용했으나, 효율적 데이터 처리구조(아키텍처)만 변경해 동작속도를 DDR3보다 배 빠르게 구현했다고 설명했다. 회사는 데이터 처리속도를 최대 3.2Gbps까지 올릴 수 있는 DDR4 D램도 곧 개발할 것이라고 덧붙였다.
일반적으로 DDR4 D램은 1.6Gbps에서 3.2Gbps 대역의 처리속도를 갖기 때문에 800Mbps에서 1.6Gbps 속도를 갖는 DDR3 D램 대비 배 이상 빠르고, DDR2에 비해선 4배, DDR에 비해선 8배, SD램에 비해선 16배 빠른 처리속도를 갖는다.
특히 DDR4 D램은 1.2볼트에서 동작하기 때문에 기존 1.5볼트에서 동작하는 D램보다 40% 소비전력을 낮출 수 있는 그린메모리라고 회사는 설명했다. 회사 반도체사업부 메모리담당 전동수 사장은 "삼성전자는 해마다 업그레이드한 `그린메모리' 전략으로 IT업계에서 친환경 제품을 출시하는데 적극 협력해왔다"며 "이번에 개발한 DDR4 D램 기술로 그린메모리에 대한 신뢰를 더욱 높일 수 있게 됐다"라고 말했다.
한편 한번에 하나의 데이터를 처리하는 SD(Single Data Rate)램에 비해 2개의 데이터를 동시에 처리하는 DDR(Doulbe Data Rate) D램은 2001년 메모리 반도체업계가 본격 양산한 후 3년만인 2003년에 기존 SD램과 세대교체를 이뤘다. 또 DDR보다 배 빠른 DDR2가 2004년 본격 양산된지 역시 3년만인 2006년에 DDR과 세대교체를 이뤘으며, DDR3는 2009년 본격 양산돼 2010년 전체 D램의 50% 이상을 차지하며 DDR2와 세대교체했다. DDR4는 2012년 본격 양산돼 2014년쯤 DDR3와 세대교체를 이룰 것으로 예상된다.
김승룡기자 srkim@
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