삼성, 세계 첫 20나노급 D램 양산…경쟁사 엘피다는 시제품조차 못내놔
삼성전자가 세계 최대 규모 메모리 반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔다. 또 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급 D램 양산을 시작했다. 이로써 삼성전자는 이로써 메모리 선두업체로서 위상을 강화하는 한편, 장기적으로는 글로벌 IT 시장을 지속 성장시키며 한 단계 더 도약하기 위한 발판을 마련할 수 있게 됐다.
삼성전자(대표 최지성)는 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급 2Gb D램 양산을 이 달부터 시작했다고 22일 밝혔다. 또한 삼성전자는 나노시티 화성캠퍼스에서 `메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램ㆍ플래시 양산` 행사를 이 날 개최한다고 밝혔다.
이 날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석할 예정이다.
지난 해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적(FAB : 반도체 제조공장) 약 6만평 규모 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모 메모리 생산라인이다. 올해 2월 건물을 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고 6월부터 시범 가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖췄다. 이 달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며, 본격 양산을 시작했다.
삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다. 삼성전자는 최첨단 공정을 갖춘 16라인의 가동으로 고객에 다양한 제품을 안정적으로 공급할 수 있게 됨으로써 반도체 선두업체로서 더욱 차별화된 경쟁력을 강화할 수 있게 됐다고 설명했다.
삼성전자 20나노 D램 양산에 글로벌 CEO 들의 축하도 이어지고 있다. 마이크로소프트 스티브 발머 CEO, HTC 셰어 왕 회장, DELL 제프 클라크 부회장, 레노보 양위엔칭 CEO, IBM 프랜 오 설리반 부사장 등은 영상 메시지를 보내 삼성전자 메모리 16라인을 가동과 20나노급 D램 양산을 축하했다.
20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다. 삼성전자는 올해 말 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GBㆍ8GBㆍ16GBㆍ32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이다.
이건희 회장 또한 최근 삼성전자 반도체 사업에 대해 각별한 애정을 드러내고 있다. 지난해 5월 경영 복귀 후 이 날 가동식을 가지는 반도체 16라인 기공식 현장을 첫 방문지로 삼은 데 이어, 이날 가동식까지 참석할 예정이다. 이 회장은 지난 달 11일 반도체 사장단과의 오찬에서 "D램의 뒤를 이을 차세대 메모리 개발 속도를 높여 메모리 분야에서도 차별화된 경쟁력으로 시장 리더십을 지켜야 한다"고 강조한 바 있다.
세계 메모리반도체 2위 하이닉스는 올해 하반기까지 30나노급 양산 비중을 40%로 늘린 뒤 20나노 후반급 제품을 기획해 올해 4분기에 개발 완료할 계획이다. 이후에는 20나노 초반 급 제품도 내년 하반기에 출시할 예정이다.
한편 경쟁사인 일본 엘피다는 지난 5월 "7월부터 25나노급 D램 제품을 출시하겠다"고 발표했지만, 아직 제대로 된 시제품조차 내놓지 못한 것으로 알려졌다.
강승태기자 kangst@
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삼성전자(대표 최지성)는 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급 2Gb D램 양산을 이 달부터 시작했다고 22일 밝혔다. 또한 삼성전자는 나노시티 화성캠퍼스에서 `메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램ㆍ플래시 양산` 행사를 이 날 개최한다고 밝혔다.
이 날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석할 예정이다.
지난 해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적(FAB : 반도체 제조공장) 약 6만평 규모 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모 메모리 생산라인이다. 올해 2월 건물을 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고 6월부터 시범 가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖췄다. 이 달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며, 본격 양산을 시작했다.
삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다. 삼성전자는 최첨단 공정을 갖춘 16라인의 가동으로 고객에 다양한 제품을 안정적으로 공급할 수 있게 됨으로써 반도체 선두업체로서 더욱 차별화된 경쟁력을 강화할 수 있게 됐다고 설명했다.
삼성전자 20나노 D램 양산에 글로벌 CEO 들의 축하도 이어지고 있다. 마이크로소프트 스티브 발머 CEO, HTC 셰어 왕 회장, DELL 제프 클라크 부회장, 레노보 양위엔칭 CEO, IBM 프랜 오 설리반 부사장 등은 영상 메시지를 보내 삼성전자 메모리 16라인을 가동과 20나노급 D램 양산을 축하했다.
20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다. 삼성전자는 올해 말 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GBㆍ8GBㆍ16GBㆍ32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이다.
이건희 회장 또한 최근 삼성전자 반도체 사업에 대해 각별한 애정을 드러내고 있다. 지난해 5월 경영 복귀 후 이 날 가동식을 가지는 반도체 16라인 기공식 현장을 첫 방문지로 삼은 데 이어, 이날 가동식까지 참석할 예정이다. 이 회장은 지난 달 11일 반도체 사장단과의 오찬에서 "D램의 뒤를 이을 차세대 메모리 개발 속도를 높여 메모리 분야에서도 차별화된 경쟁력으로 시장 리더십을 지켜야 한다"고 강조한 바 있다.
세계 메모리반도체 2위 하이닉스는 올해 하반기까지 30나노급 양산 비중을 40%로 늘린 뒤 20나노 후반급 제품을 기획해 올해 4분기에 개발 완료할 계획이다. 이후에는 20나노 초반 급 제품도 내년 하반기에 출시할 예정이다.
한편 경쟁사인 일본 엘피다는 지난 5월 "7월부터 25나노급 D램 제품을 출시하겠다"고 발표했지만, 아직 제대로 된 시제품조차 내놓지 못한 것으로 알려졌다.
강승태기자 kangst@
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