전자부품연구원은 중국 광둥성 광저우시에서 열린 한·광동성 발전포럼에서 광둥성과학원(GDAS) 및 화난이공대학과 산업기술협력을 위한 업무협정(MOU)를 체결했다고 26일 밝혔다.
GDAS는 지난해 첨단제조, 에너지, 소재, 바이오헬스, 융합 기술 등의 분야에서 약 3133억원 규모의 연구개발 및 R&D 성과 확산을 수행한 정부기관이다.
전자부품연구원은 이번 업무협정 체결을 통해 GDAS와 지능형교통시스템(ITS) 및 이차전지 기술, 화난이공대학과는 무선통신, 환경 및 의료기기 등 차세대 핵심 산업기술 분야에서 공동연구 및 정보·인력교류를 추진한다.
김경원 전자부품연구원장은 "중국 광저우 지역과의 기술협력 네트워크 구축을 기반으로 한중 공동연구 과제를 발굴하고, 연구개발 성과의 국내 중소·벤처기업 이전 및 기술상용화 지원을 통해 중국 진출 활성화에 기여할 것"이라고 말했다.
박정일기자 comja77@dt.co.kr
26일 중국 광둥성 상그릴라 호텔에서 김경원 전자부품연구원 원장(가운데)이 리딩치앙 중국 광둥성과학원 부원장(왼쪽), 펑신이 화난이공대 상무부총장과 함께 산업기술협력을 위한 업무협정을 맺고 기념촬영을 하고 있다. <전자부품연구원 제공>
GDAS는 지난해 첨단제조, 에너지, 소재, 바이오헬스, 융합 기술 등의 분야에서 약 3133억원 규모의 연구개발 및 R&D 성과 확산을 수행한 정부기관이다.
전자부품연구원은 이번 업무협정 체결을 통해 GDAS와 지능형교통시스템(ITS) 및 이차전지 기술, 화난이공대학과는 무선통신, 환경 및 의료기기 등 차세대 핵심 산업기술 분야에서 공동연구 및 정보·인력교류를 추진한다.
김경원 전자부품연구원장은 "중국 광저우 지역과의 기술협력 네트워크 구축을 기반으로 한중 공동연구 과제를 발굴하고, 연구개발 성과의 국내 중소·벤처기업 이전 및 기술상용화 지원을 통해 중국 진출 활성화에 기여할 것"이라고 말했다.
박정일기자 comja77@dt.co.kr
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