미래 메모리 시장 주도권 잡는다
[디지털타임스 황민규 기자] 삼성전자가 인텔에 이어 차세대 메모리 반도체로 꼽히는 '3D 크로스포인트' 기술을 자체 개발했다. 이 기술은 대표적인 차세대 메모리 기술인 저항성 메모리(ReRAM)의 특성을 기반으로 3차원 교차점 구조를 갖는 고밀도의 메모리 반도체다. 인텔이 지난해 선보인 3D 크로스포인트 기술과도 원리상 거의 같다.
10일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 3D 크로스포인트 구조를 나타내는 저항성 메모리 반도체 개발에 성공한 것으로 확인됐다. 2009년부터 본격적으로 차세대 메모리 개발을 준비해온 삼성전자는 '난제'로 꼽히는 저항성 메모리 기술 개발에 성공하며 인텔과 함께 미래 메모리 시장에서 주도권을 쥐게 됐다.
3D 크로스포인트 기술의 기초 원리로 작용하고 있는 저항성 메모리 기술은 그동안 전문가들도 P(상(相)변화)램, STT램 등 차세대 메모리 제품군 중에서도 가장 늦게 상용화할 것으로 예상할 정도로 기술 개발이 어려웠다. 전력 소모가 너무 크고 저항변화의 특성을 명확하게 규정할 수 없다는 단점 때문이다. 저항성 메모리란 메모리 셀 내의 박막 형태로 구현되는 저항성 물질에 전기적 신호를 보내 해당 물질의 저항을 변화시켜 데이터를 기록하는 비휘발성 메모리 기술을 말한다.
삼성전자가 개발한 3D 크로스포인트 기술은 워드(word)라인과 비트(bit)라인의 교차점에 일종의 '주소'를 부여하는 구조를 지니고 있다. 메모리의 최소 단위인 셀(Cell) 위아래에 가로와 세로로 엇갈리는 금속 회로가 깔리고, 교차점마다 0과 1의 신호를 담는 메모리 셀을 설치하는 구조다.
아직 실제로 제품화하지 않았지만, 이론적으로 3D 크로스포인트는 데이터 접근 속도를 기존 낸드보다 1000배 높일 수 있는 것으로 알려졌다. 각각의 셀에 붙은 주소명을 직접 찾아 접근하기 때문에 페이지와 블록 전체의 셀을 읽고, 지우고 쓰는 일이 없는 만큼 셀의 수명도 1000배 가까이 늘어난다. 기존 낸드 메모리는 셀당 1000번 정도 쓸 수 있는데, 3D 크로스포인트는 100만번의 사이클을 견뎌낼 수 있다.
삼성전자는 이 기술을 중장기적으로 메모리카드, 솔리드스테이트드라이브(SSD), 카메라 이미지센서, 애플리케이션 칩세트 등 다양한 제품군에 대한 확대 적용하는 것을 검토 중이지만 곧바로 상용화할 계획은 아직 없는 것으로 알려졌다. 인텔과 마이크론이 지난해 3D 크로스포인트 기술을 적용한 제품 양산을 선언한 가운데 추후 시장 상황을 보고 필요시에 즉각 대응할 수 있도록 개발을 완료한 것으로 보인다.
삼성전자 관계자는 "시장 상황에 따라 차세대 메모리(Re램, P램, M램 등) 흐름에 대응할 수 있도록 연구개발을 진행해왔다"고 설명했다.
황민규기자 hmg815@dt.co.kr
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