SK하이닉스가 D램 1등 기술력을 바탕으로 새로운 패러다임을 열겠다며 자신감을 드러냈다. 10나노급 6세대(1c) D램 기술 개발 주역들은 '유기적인 협업'과 '원팀 정신'으로 독보적인 기술 리더십을 발휘할 수 있었다고 강조했다.
SK하이닉스는 1c 기술 개발 과정과 함께 회사의 혁신 기술 역량과 D램 기술 로드맵을 조명하는 좌담회를 진행했다고 10일 밝혔다. SK하이닉스는 지난달 세계 최초로 1c 미세공정을 적용한 16GB(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다.
좌담회엔 1c 기술 개발을 주도한 SK하이닉스 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했다.
1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하고, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화해 원가 절감까지 실현했다. SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다.
오태경 부사장은 "가장 큰 목표는 '1등 개발'로 우리는 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택했다"며 "덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었다"고 강조했다.
손수용 부사장은 "다른 주력 제품의 일정과 거의 같은 시기에 개발이 진행되며 더욱 효율적으로 테스트 운영을 해야 했다"며 "이를 위해 테스트 인프라를 추가로 확보했으며 실장 시스템을 전략적으로 적용해 일정보다 빠르게 테스트 공정을 완료할 수 있었다"고 회상했다.
이들은 조직 문화의 중요성을 언급하며 '원팀'의 힘을 체감했다고 했다. 정창교 부사장은 "'최초'라는 타이틀에 따라오는 많은 기술적 도전을 극복하기 위해 각 조직이 긴밀하게 협력해 문제를 조기 발견했고 해결했다"고 말했다. 김형수 부사장 또한 "미세 공정의 난이도는 점점 높아지고 그에 따른 다양한 기술적 난제가 존재하지만 이를 해결할 힘은 결국 여러 유관 조직이 같은 목표를 향해 나아가는 원팀 정신"이라고 덧붙였다.
SK하이닉스는 1c 기술을 넘어 차세대 D램 기술에서도 1등을 수성할 것이라고 밝혔다. 조영만 부사장은 "1c 기술을 넘어 D램 기술은 점점 더 미세화될 것"이라며 "효과적으로 대응하기 위해 SK하이닉스의 D램 기술 개발 체계 역시 지속적으로 고도화하고 있다"고 전했다.
조주환 부사장은 "설계 측면에서는 차세대 미세 공정 도입 시 수반되는 리스크를 정교하게 예측하는 시스템 개발 등 설계 시스템을 더욱 고도화해 구성원의 부담을 줄여 경쟁력을 이어갈 것"이라고 밝혔다. 박순원기자 ssun@dt.co.kr
