SK키파운드리 HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS(Lateral Double diffused MOS), 650V 이상의 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode) 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있는 것이 특징이며, 여기 포함된 25V 고전압 소자 및 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다. 또한 Non-volatile 소자인 MTP(Multi Time Program) IP와 OTP(One Time Program) IP를 옵션으로 함께 제공해 고객이 하나의 디자인에서 다양한 제품 스펙 변경이 가능하다.
SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 기존 고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정의 200V 이하 제품과 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션을 통한 1,500V 이상 초고전압 제품 라인업에 더해, 650V~1,200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 되었다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 OBC에 적합할 뿐 아니라 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대되고 있다.
HVIC 공정을 사용하는 주요 제품에는 MCU(Micro Controller Unit)에서 제어 신호를 받아 고전압 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 또는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등의 게이트를 직접 구동하는 고전압용 게이트 드라이버 IC 등이 있으며, 이는 대형 백색 가전용 모터 드라이브, 데이터 서버용 전압 변환기, 자동차용 모터 드라이브 및 OBC(On Board Charger), 산업용 모터 드라이브 등 다양한 전력용 제품에 사용되고 있다.
SK키파운드리 이동재 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 SK키파운드리 경쟁력을 강화하게 되어 의미 있게 생각한다"며, "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 밝혔다.
이상훈기자 am8523am@dt.co.kr
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