MoO3는 약 25에 달하는 높은 유전상수를 가지며, 이는 기존의 SiO2 소재 대비 6배 이상 높은 값이다. 이로 인해 MoO3는 차세대 나노 전자 소자를 위한 유망한 고유전율(high-k) 유전체 소재로 주목받고 있다. 그러나 MoS2 박막을 산화시켜 얻은 MoO3 나노구조체의 정확한 유전 특성은 그동안 충분히 밝혀지지 않았다.
김 교수 연구팀은 산화 주사 탐침 리소그래피(o-SPL) 기법을 통해 MoS2 박막을 산화하여 MoO3 나노구조체 어레이(array)를 제작했다. 이후 전기 힘 현미경과 유한 요소 계산(FEM) 방법을 활용해 MoO3 나노구조체가 높은 유전상수를 가지며, 구조체 크기와 관계없이 일정한 값을 유지함을 입증했다.
이 결과는 기존 나노 전자 소자에서 흔히 관찰되는 크기 의존성을 극복할 수 있는 중요한 돌파구를 제공한다. 즉, 향후 MoO3 나노구조체가 고성능 집적 회로 및 나노스케일 절연 소재로 활용될 가능성을 열었다고 할 수 있다. 또한, 연구팀은 고해상도 전자현미경(HRTEM)과 에너지 분산 X선 분광법(EDS)을 활용해 MoO3 나노구조체가 비정질 상태임을 확인했으며, 이는 기존 비정질 MoO3에 대한 부족한 이해를 보완하는 중요한 발견으로 평가된다.
김 교수는 "MoO3 나노구조체는 전자 소자뿐만 아니라 광학 및 센서 응용 분야에서도 높은 활용 가능성을 지닌다"라며, "이번 연구는 나노스케일 전자 소자에서 고유전율을 갖는 새로운 나노소재의 가능성을 열어줌과 동시에 차세대 소자에서 새로운 개념의 절연체로 활용될 수 있음을 보여주며, 나아가 나노 전자 소자 및 재료 과학 분야에 중요한 기여를 할 것으로 기대된다"라고 밝혔다.
특히 이번 연구 성과는 국제저명학술지 Nano Letters에 2025년 1월 13일 자로 온라인 게재되었으며, 과학기술정보통신부 기본연구사업 지원으로 수행됐다.
노희근기자 hkr1224@dt.co.kr
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