삼성전자의 경영상황에 우호적 환경이 조성되고 있다. 지난달 메모리 낸드 가격이 반등한 데 이어 이달 D램에서도 가격 상승 조짐이 나타나고 있기 때문이다. 삼성전자는 개선된 업황을 기반으로 올 하반기 6세대 고대역폭메모리(HBM)와 맞춤형반도체(ASIC)에서도 성과를 낸다는 전략이다.
23일 시장조사업체 D램 익스체인지에 따르면 이달 중순 기준 DDR4(8Gb)와 DDR5(16Gb) 현물 가격은 각각 1.76달러와 5.086달러를 기록해 한달 전과 비교해 1.6%와 6% 상승세를 보였다.
눈에 띄는 점은 구형 메모리인 DDR4의 현물 가격이 상승했다는 점이다. DDR5는 고부가인 인공지능(AI)향 메모리로 쓰이지만, DDR4는 저가 스마트폰에 탑재되는 범용 제품이다. DDR4의 월간 고정거래 가격은 지난해 4월 이후 한 차례도 상승하지 않았는데, 최근 현물 거래 가격이 상승하면서 고정가에도 영향을 줄 수 있다는 전망이 나온다.
메모리 현물 가격은 기업 간 대규모 거래에서 책정되는 고정거래 가격과는 성격이 다르지만, 제품 수급 상황과 미래 전망이 빠르게 반영돼 고정거래 가격의 선행 지표로 쓰인다.
다른 범용 메모리인 낸드 가격도 최근 상승세다.
미국 낸드플래시 업체 샌디스크는 다음 달 1일부터 모든 제품 가격을 10% 이상 올릴 계획이다. 마이크론과 중국 양쯔메모리(YMTC)도 제품 가격 인상에 동참한다. 업계에선 삼성전자와 SK하이닉스도 이 뒤를 따를 것으로 보고 있다. 낸드(128gb) 가격은 올해 1월과 2월 각각 전달대비 5% 상승했다.
이수림 DS투자증권 연구원은 "당사 채널에 따르면 DDR4의 스팟 가격도 상승하고 있다"며 "중저가 스마트폰에 탑재되는 LPDDR4의 수요를 중국 창신메모리(CXMT) 공급이 충족하지 못하고 있는 것으로 보인다"고 분석했다.
삼성전자는 하반기 HBM 시장에서도 성과를 낸다는 계획이다. SK하이닉스가 엔비디아의 올해 HBM 물량을 사실상 완판한 만큼, 삼성전자는 내년 HBM3E 12단 물량과 HBM4을 겨냥하고 있다. 또 브로드컴 등 비 엔비디아 HBM 공급망에도 진입을 시도하고 있다. 엔비디아 HBM3E(5세대) 공급망에는 이르면 2분기 진입할 예정이다.
전영현 삼성전자 DS부문장(부회장)은 19일 주주총회에서 "HBM4에서는 HBM3E에서의 과오를 반복하지 않겠다"며 "빠르면 2분기 HBM3E 12단으로 전환해 시장에서 유의미한 역할을 할 것이며, HBM4 개발 역시 계획대로 진행되고 있다"고 말했다.
업계에선 삼성이 주문형반도체에서 기회를 얻을 것이란 관측이 나온다. HBM 고객사가 타 빅테크로 확대되면서, 맞춤형 칩 제작 능력이 강조되고 있기 때문이다. 또 HBM4부터는 맞춤형 베이스다이가 필요하다는 점도 자체 파운드리(반도체위탁생산) 역량을 가진 삼성에 긍정적이다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 GTC 2025를 통해 "삼성전자는 주문형반도체와 메모리를 결합하는 데 탁월하다"고 밝히기도 했다.
업계 관계자는 "삼성이 지난해 엔비디아 HBM 공급망 진입에 실패하는 과정에서 기술뿐 아니라 엔비디아의 공급망 정책 영향도 많이 받았던 것으로 알고 있다"며 "엔비디아 외 빅테크로 HBM 고객사가 넓어지면서 주문형반도체에서 삼성이 기회를 얻을 가능성이 크다"고 말했다. 박순원기자 ssun@dt.co.kr
전영현 삼성전자 DS부문장(부회장)이 19일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 제56기 삼성전자 정기주주총회에서 발언하고 있다. <삼성전자 제공>
