사람 세포두께로 웨이퍼 가공…
"반도체 패키지 기술 새 지평"
4년 연속 적층기술 한계 극복
반도체 웨이퍼를 사람의 세포 크기(20μ∼30㎛) 만큼 얇게 가공해 16개의 칩을 적층한 반도체 패키지(MCP)가 세계 최초로 개발됐다.
1일 삼성전자는 세계 최초로 16개의 메모리 반도체를 1개의 패키지 (64볼 FBGA : 12mm×16mm×1.4mm)에 탑재한 16단 MCP(다중칩: Multi Chip Package) 개발에 성공했다고 밝혔다.
16단 MCP는 현재 양산 중인 최대용량 메모리 8기가비트(Gb) 낸드플래시 16개를 쌓아 16기가바이트(GB)를 구현한 제품이다.
삼성전자 관계자는 "16단 MCP는 지난해 개발한 10단 MCP(14mm×18mm×1.6mm) 보다 30% 이상 작은 패키지에 16개의 칩을 적층한 제품으로 반도체 패키지 기술의 새 지평을 열었다"고 자평했다.
삼성전자는 지난 2003년에 6단, 2004년에 8단, 2005년에 10단 MCP를 개발한 이후 올해 16단 MCP에 이르기까지 4년 연속 칩 적층 기술의 한계를 극복해, MCP 기술을 주도하게 됐다.
또한, 이번 16단 MCP 개발로 다중칩 패키지 기술 부문에서 8단 적층 수준에서 머물고 있는 업계에 비해 약 2년 정도 앞선 기술을 보유함에 따라 차세대 패키지 분야의 리더십도 한층 강화할 수 있게 됐다.
이번에 개발된 16단 MCP에는 △웨이퍼를 한층 얇게 가공하는 기술 △레이저 칩 절단(Sawing) 기술 △웨이퍼 재배선 및 와이어 본딩 기술 등 기존의 기술을 뛰어 넘는 최첨단 기술이 다양하게 적용됐다.
작은 패키지 안에 많은 칩을 적층하기 위해서는 무엇보다도 칩 두께를 얇게 가공해야 하는데, 이번 16단 MCP는 각 칩의 두께가 가공전 웨이퍼 두께(700㎛)의 25분의 1, 10단 MCP 웨이퍼 두께(45㎛)의 65% 수준인 30㎛까지 얇게 가공한 기술이 적용됐다. 이는 사람 몸의 세포 크기인 20μ∼30㎛와 같은 수준의 초박막이다.
또 이번 제품에는 레이저를 이용한 칩 절단 기술이 적용돼 기존의 절단용 칼을 이용한 `블레이드(Blade) 절단방식(웨이퍼 절단용 칼을 사용한 칩 절단방식)'에서 80㎛ 이하로 가공된 웨이퍼 절단시 칩이 깨지는 문제를 해소했다.
이 밖에 동일 크기의 칩 적층시 칩 양쪽에서 와이어 본딩(배선연결)을 하던 기존 방식 대신 `웨이퍼 레벨 재배선' 기술을 적용해 칩간 접착부의 높이를 기존 60㎛에서 20㎛ 이하로 낮춰 10단 MCP(두께: 1.6mm)보다 더 얇은 패키지(1.4mm)에 16개의 칩을 적층할 수 있게 됐다고 삼성측은 밝혔다.
"반도체 패키지 기술 새 지평"
4년 연속 적층기술 한계 극복
반도체 웨이퍼를 사람의 세포 크기(20μ∼30㎛) 만큼 얇게 가공해 16개의 칩을 적층한 반도체 패키지(MCP)가 세계 최초로 개발됐다.
1일 삼성전자는 세계 최초로 16개의 메모리 반도체를 1개의 패키지 (64볼 FBGA : 12mm×16mm×1.4mm)에 탑재한 16단 MCP(다중칩: Multi Chip Package) 개발에 성공했다고 밝혔다.
16단 MCP는 현재 양산 중인 최대용량 메모리 8기가비트(Gb) 낸드플래시 16개를 쌓아 16기가바이트(GB)를 구현한 제품이다.
삼성전자 관계자는 "16단 MCP는 지난해 개발한 10단 MCP(14mm×18mm×1.6mm) 보다 30% 이상 작은 패키지에 16개의 칩을 적층한 제품으로 반도체 패키지 기술의 새 지평을 열었다"고 자평했다.
삼성전자는 지난 2003년에 6단, 2004년에 8단, 2005년에 10단 MCP를 개발한 이후 올해 16단 MCP에 이르기까지 4년 연속 칩 적층 기술의 한계를 극복해, MCP 기술을 주도하게 됐다.
또한, 이번 16단 MCP 개발로 다중칩 패키지 기술 부문에서 8단 적층 수준에서 머물고 있는 업계에 비해 약 2년 정도 앞선 기술을 보유함에 따라 차세대 패키지 분야의 리더십도 한층 강화할 수 있게 됐다.
이번에 개발된 16단 MCP에는 △웨이퍼를 한층 얇게 가공하는 기술 △레이저 칩 절단(Sawing) 기술 △웨이퍼 재배선 및 와이어 본딩 기술 등 기존의 기술을 뛰어 넘는 최첨단 기술이 다양하게 적용됐다.
작은 패키지 안에 많은 칩을 적층하기 위해서는 무엇보다도 칩 두께를 얇게 가공해야 하는데, 이번 16단 MCP는 각 칩의 두께가 가공전 웨이퍼 두께(700㎛)의 25분의 1, 10단 MCP 웨이퍼 두께(45㎛)의 65% 수준인 30㎛까지 얇게 가공한 기술이 적용됐다. 이는 사람 몸의 세포 크기인 20μ∼30㎛와 같은 수준의 초박막이다.
또 이번 제품에는 레이저를 이용한 칩 절단 기술이 적용돼 기존의 절단용 칼을 이용한 `블레이드(Blade) 절단방식(웨이퍼 절단용 칼을 사용한 칩 절단방식)'에서 80㎛ 이하로 가공된 웨이퍼 절단시 칩이 깨지는 문제를 해소했다.
이 밖에 동일 크기의 칩 적층시 칩 양쪽에서 와이어 본딩(배선연결)을 하던 기존 방식 대신 `웨이퍼 레벨 재배선' 기술을 적용해 칩간 접착부의 높이를 기존 60㎛에서 20㎛ 이하로 낮춰 10단 MCP(두께: 1.6mm)보다 더 얇은 패키지(1.4mm)에 16개의 칩을 적층할 수 있게 됐다고 삼성측은 밝혔다.
