미세회로 공정 진화 '일등공신'
공간분할로 생산성 2∼5배 혁신
하이닉스 80나노 성공안착 기여
지난해 11월 서울 여의도 63빌딩에서 열린 대중소기업 상생협력 조인식 행사장.
하이닉스 메모리제조본부장인 최진석 전무는 "80나노 D램 미세회로 공정에서 경쟁사보다 조기에 안정화를 꾀할 수 있게 된 것은 중소기업과의 협력이 성공했기 때문이다"고 말했다.
반도체ㆍ디스플레이 장비업체인 주성엔지니어링(대표 황철주)을 두고 한 말이다. 특히 하이닉스는 주성과 협력해 SD CVD(Space Divided CVD: 공간분할 화학적 기상 증착 장비, 제품명 사이클론플러스)를 처음으로 80나노 D램 양산에 적용, 큰 성공을 거둔 것을 두고 한 말이다.
당시 산업자원부의 정세균 장관을 비롯해 경쟁사의 대표 등 국내 반도체 업계의 내로라 하는 인물들이 있는 자리에서 주성의 SD CVD의 강점을 최 전무는 자신 있게 소개했다.
주성의 SD CVD를 사용한 하이닉스와 달리, S사는 최근 2∼3분기 동안 기업설명회에서 80나노 미세회로 공정에서 문제가 있었음을 시인하고, 이를 개선하고 있다는 설명을 하느라 진땀을 흘리곤 했다. 주성 장비를 사용하지 않는 다른 외국 메모리반도체 업체들도 최근 수년간 80나노보다 뒤진 90나노 미세회로 공정에서조차 안정화에 어려움을 겪고 있다고 토로했다. 그 사이에 하이닉스는 80나노 미세회로 공정에 성공적으로 안착함으로써 높은 생산성과 수익성을 올릴 수 있었다.
하이닉스 관계자는 "주성의 SD CVD를 양산 라인에 적용함으로써 80나노 미세회로 공정에서 타사를 앞지르는 데 성공했다"고 설명했다.
이를 가능케 한 주성엔지니어링의 신개념 CVD인 SD CVD(제품명: 사이클론 플러스)는 크게 두 가지의 혁신에 성공함으로써 미세회로 공정의 진화를 이뤘다.
기존 ALD(원자층 기상증착 장비)가 시분할 방식으로, 웨이퍼가 들어있는 챔버에 순차적으로 반응가스를 주입하는 데 비해, SD CVD는 공간 분할을 통해 각 공간에서 서로 다른 반응가스를 주입해 생산성을 2∼5배 가량 올리는 혁신에 성공했다.
또한 기존 막질 물질인 HfO2(하프늄 옥사이드) 대신 ZrO2(지르코늄 옥사이드)를 사용해 미세회로 공정에서의 캐파시터의 품질을 높였다.
현재 80나노 이상의 공정에서 사용되는 하프늄 옥사이드막(캐파시터 막)은 두께를 얇게 하면 누설전류가 많아지는 단점이 있어 미세회로 공정에서 캐파시터의 특성 저하가 발생하는 문제가 있다. 반면 지르코늄 옥사이드는 막질이 우수한 데 반해 생산성이 다소 떨어지는 단점이 있었다.
주성은 이같은 생산성 저하를 개선하기 위해 공간분할 방식을 택함으로써 좋은 막질을 확보하는 동시에 생산성을 높일 수 있는 혁신에 성공했다.
경쟁사가 50% 수준의 수율에 고생할 때 하이닉스는 80% 이상의 수율을 확보할 수 있는 데 지대한 역할을 한 것이 SD CVD인 사이클론플러스라는 게 하이닉스의 평가다.
주성은 지난 1999년부터 2006년까지 ALD 개발에 총 500억원을 투입했고, 2000년부터 지난해까지 6년간 지르코늄 옥사이드용 장비 개발에 약 100억원을 투입해 SD CVD 개발에 성공했다.
주성은 하이닉스의 200mm 라인에서 이 장비를 검증한 후 300mm 라인에 장비 평가를 겸한 공동개발 과제를 진행해 성공적인 결과를 얻었다. 하이닉스에서의 성공적인 혁신을 기반으로 중국 우시 하이닉스 공장(HSSL)은 물론, 대만 프로모스, 유럽 및 일본 반도체 장비업체들에게 지난해 수십대의 사이클론을 공급하는 성과를 올렸다. 아직 경쟁사에서는 개발하지 못한 공간분할 방식의 이 장비를 통해 기존 라인에 투입할 ALD의 수를 절반 이하로 줄일 수 있는 혁신을 이뤄 이같은 성과가 가능했다는 게 장비를 직접 사용한 하이닉스의 평가다.
공간분할로 생산성 2∼5배 혁신
하이닉스 80나노 성공안착 기여
지난해 11월 서울 여의도 63빌딩에서 열린 대중소기업 상생협력 조인식 행사장.
하이닉스 메모리제조본부장인 최진석 전무는 "80나노 D램 미세회로 공정에서 경쟁사보다 조기에 안정화를 꾀할 수 있게 된 것은 중소기업과의 협력이 성공했기 때문이다"고 말했다.
반도체ㆍ디스플레이 장비업체인 주성엔지니어링(대표 황철주)을 두고 한 말이다. 특히 하이닉스는 주성과 협력해 SD CVD(Space Divided CVD: 공간분할 화학적 기상 증착 장비, 제품명 사이클론플러스)를 처음으로 80나노 D램 양산에 적용, 큰 성공을 거둔 것을 두고 한 말이다.
당시 산업자원부의 정세균 장관을 비롯해 경쟁사의 대표 등 국내 반도체 업계의 내로라 하는 인물들이 있는 자리에서 주성의 SD CVD의 강점을 최 전무는 자신 있게 소개했다.
주성의 SD CVD를 사용한 하이닉스와 달리, S사는 최근 2∼3분기 동안 기업설명회에서 80나노 미세회로 공정에서 문제가 있었음을 시인하고, 이를 개선하고 있다는 설명을 하느라 진땀을 흘리곤 했다. 주성 장비를 사용하지 않는 다른 외국 메모리반도체 업체들도 최근 수년간 80나노보다 뒤진 90나노 미세회로 공정에서조차 안정화에 어려움을 겪고 있다고 토로했다. 그 사이에 하이닉스는 80나노 미세회로 공정에 성공적으로 안착함으로써 높은 생산성과 수익성을 올릴 수 있었다.
하이닉스 관계자는 "주성의 SD CVD를 양산 라인에 적용함으로써 80나노 미세회로 공정에서 타사를 앞지르는 데 성공했다"고 설명했다.
이를 가능케 한 주성엔지니어링의 신개념 CVD인 SD CVD(제품명: 사이클론 플러스)는 크게 두 가지의 혁신에 성공함으로써 미세회로 공정의 진화를 이뤘다.
기존 ALD(원자층 기상증착 장비)가 시분할 방식으로, 웨이퍼가 들어있는 챔버에 순차적으로 반응가스를 주입하는 데 비해, SD CVD는 공간 분할을 통해 각 공간에서 서로 다른 반응가스를 주입해 생산성을 2∼5배 가량 올리는 혁신에 성공했다.
또한 기존 막질 물질인 HfO2(하프늄 옥사이드) 대신 ZrO2(지르코늄 옥사이드)를 사용해 미세회로 공정에서의 캐파시터의 품질을 높였다.
현재 80나노 이상의 공정에서 사용되는 하프늄 옥사이드막(캐파시터 막)은 두께를 얇게 하면 누설전류가 많아지는 단점이 있어 미세회로 공정에서 캐파시터의 특성 저하가 발생하는 문제가 있다. 반면 지르코늄 옥사이드는 막질이 우수한 데 반해 생산성이 다소 떨어지는 단점이 있었다.
주성은 이같은 생산성 저하를 개선하기 위해 공간분할 방식을 택함으로써 좋은 막질을 확보하는 동시에 생산성을 높일 수 있는 혁신에 성공했다.
경쟁사가 50% 수준의 수율에 고생할 때 하이닉스는 80% 이상의 수율을 확보할 수 있는 데 지대한 역할을 한 것이 SD CVD인 사이클론플러스라는 게 하이닉스의 평가다.
주성은 지난 1999년부터 2006년까지 ALD 개발에 총 500억원을 투입했고, 2000년부터 지난해까지 6년간 지르코늄 옥사이드용 장비 개발에 약 100억원을 투입해 SD CVD 개발에 성공했다.
주성은 하이닉스의 200mm 라인에서 이 장비를 검증한 후 300mm 라인에 장비 평가를 겸한 공동개발 과제를 진행해 성공적인 결과를 얻었다. 하이닉스에서의 성공적인 혁신을 기반으로 중국 우시 하이닉스 공장(HSSL)은 물론, 대만 프로모스, 유럽 및 일본 반도체 장비업체들에게 지난해 수십대의 사이클론을 공급하는 성과를 올렸다. 아직 경쟁사에서는 개발하지 못한 공간분할 방식의 이 장비를 통해 기존 라인에 투입할 ALD의 수를 절반 이하로 줄일 수 있는 혁신을 이뤄 이같은 성과가 가능했다는 게 장비를 직접 사용한 하이닉스의 평가다.
