HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 일본의 후지쓰가 개발한 초고속 화합물 반도체소자입니다. 연산속도는 피코초(1피코초는 1조분의 1초) 단위며, 구조는 갈륨ㆍ비소(GaAs)와 갈륨ㆍ알루미늄ㆍ비소(AlGaAs)의 2층으로 이루어지고 그 접합면에서 발생하는 전자를 이용합니다.
고전자 이동도 트랜지스터라 부르며, GaAs를 응용한 초고속 저소비전력의 FET 반절연성 GaAs기판 상에 undoped(불순물이 첨가되지 않은) GaAs층, 그 위에 N형 AlGaAs층을 성장시킨 구조로써, AlGaAs층에서 공급된 전자는 undoped GaAs층과의 접합부의 얇은 영역으로 이동해 전류 채널을 형성시켜 고전자 이동도를 실현하고 있습니다. HEMT는 위성방송수신 시스템용으로 수요가 확대되고 있습니다.
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고전자 이동도 트랜지스터라 부르며, GaAs를 응용한 초고속 저소비전력의 FET 반절연성 GaAs기판 상에 undoped(불순물이 첨가되지 않은) GaAs층, 그 위에 N형 AlGaAs층을 성장시킨 구조로써, AlGaAs층에서 공급된 전자는 undoped GaAs층과의 접합부의 얇은 영역으로 이동해 전류 채널을 형성시켜 고전자 이동도를 실현하고 있습니다. HEMT는 위성방송수신 시스템용으로 수요가 확대되고 있습니다.
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